Общие характеристики: Объем: 1 Тб Форм-фактор: M.2 Интерфейс: PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND Аппаратное шифрование: есть Скорость последовательного чтения: 1950 Мб/с Скорость последовательной записи: 1000 Мб/с Средняя скорость случайного чтения: 295 000 IOps Средняя скорость случайной записи: 31 000 IOps Энергопотребление (чтение/запись): 7.6 Вт Энергопотребление (ожидание): 3.5 Вт Время наработки на отказ (МТBF): 2000000 ч Дата выхода на рынок: 2018 Подсветка: нет Радиатор охлаждения: нет Размеры М.2: 22110 Ресурс записи: 980 TBW Адаптер 3.5 в комплекте: нет.