Общие характеристики: Объем: 6.4 Тб Форм-фактор: плата расширения Интерфейс: PCI Express 3.0 x8 (NVMe) Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND Аппаратное шифрование: есть Скорость последовательного чтения: 6650 Мб/с Скорость последовательной записи: 5350 Мб/с Средняя скорость случайного чтения: 1 210 000 IOps Средняя скорость случайной записи: 484 000 IOps Энергопотребление (чтение/запись): 29 Вт Энергопотребление (ожидание): 10 Вт Время наработки на отказ (МТBF): 2000000 ч Дата выхода на рынок: 2019 Подсветка: нет Радиатор охлаждения: есть Ресурс записи: 53000 TBW.