Общие характеристики: Объем: 7.68 Тб Форм-фактор: 2.5 (NVMe, U.2) Интерфейс: U.2 Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND (96 слоев) Скорость последовательного чтения: 3000 Мб/с Скорость последовательной записи: 1900 Мб/с Средняя скорость случайной записи: 85 000 IOps Энергопотребление (чтение/запись): 12 Вт Время наработки на отказ (МТBF): 2000000 ч Толщина: 7 мм Скорость записи: 8 Гбит/сек Подсветка: нет Радиатор охлаждения: нет Ресурс записи: 25400 TBW Адаптер 3.5 в комплекте: нет.