Общие характеристики: Объем: 1 Тб Форм-фактор: M.2 Интерфейс: PCI Express 3.0 x4 Тип микросхем Flash: 3D QLC NAND Аппаратное шифрование: есть Скорость последовательного чтения: 3480 Мб/с Скорость последовательной записи: 1880 Мб/с Средняя скорость случайного чтения: 470 000 IOps Средняя скорость случайной записи: 190 000 IOps Энергопотребление (чтение/запись): 4 Вт Толщина: 3 мм Дата выхода на рынок: 2021 Подсветка: нет Радиатор охлаждения: нет Размеры М.2: 2280 Ресурс записи: 200 TBW.