Общая информация Дата выхода на рынок: 2021 г. Основные Объём: 512 ГБ Форм-фактор: M.2 (NVMe 1.3) Интерфейс: PCI Express 3.0 x4 Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND Размеры устройств M.2: 2280 Ресурс записи: 350 TBW Технические характеристики Аппаратное шифрование: Нет Скорость последовательного чтения: 3 500 МБ/с Скорость последовательной записи: 2 300 МБ/с Средняя скорость случайного чтения: 400 000 IOps Средняя скорость случайной записи: 600 000 IOps Энергопотребление (чтение/запись): 4.118 Вт Энергопотребление (ожидание): 0.07 Вт Время наработки на отказ (МТBF): 1 800 000 ч Толщина: 3.5 мм Охлаждение: Нет Подсветка: Нет Комплектация Адаптер 3.5": Нет